АЛФЁРОВ ЖОРЕС ИВАНОВИЧ
(1930)
физик
Родился 15 марта 1930 г. в г. Витебске. В 1952 г. окончил с отличием Ленинградский электротехнический институт имени В. И. Ульянова (Ленина) по специальности «Электровакуумная техника». В 1961 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук, в 1970 г. – на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.
Основные этапы трудовой деятельности: младший научный сотрудник (1953–1964), старший научный сотрудник (1964–1967), с 1967 г. – заведующий лабораторией, с 1987 г. – директор, в 2003–2006 гг. – научный руководитель Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе АН СССР; в 1972 г. –присвоено ученое звание профессора Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина), с 1973 г. – заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники института; с 1988 г. – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета; с 2002 г. – директор (с 2009 г. – ректор) Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН (с 2009 г. – Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, с 2015 г. – Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН).
Общественная деятельность: член-корреспондент АН СССР (1972); академик АН СССР (1979); вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра (1990–1991); вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН (1991–2017); Народный депутат СССР (1989–1991), с 1995 г. избирается депутатом Государственной Думы РФ; учредитель и Президент Фонда поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки (2001); сопредседатель Консультативного научного совета фонда «Сколково» (с 2010 г.); член Комитета Государственной Думы по науке и наукоемким технологиям (2012–2016); Президент Санкт-Петербургского научного центра РАН (с 2018 г.); главный редактор журнала «Письма в Журнал технической физики». Принимал участие в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах. Доказал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Создал «идеальные» полупроводниковые гетероструктуры. Основатель нового направления – «Гетеропереходы в полупроводниках». Основатель и руководитель научной школы: среди его учеников более сорока кандидатов и десяти докторов наук, два член-корреспондента РАН.
Награды, почетные звания: Почетный член Академии наук Республики Беларусь, Академии наук Украины, Франклиновского института и Оптического общества (США), Академии науки и технологии Кореи, Испанской инженерной академии, Национальных академий наук Азербайджана, Казахстана, Литвы, Молдовы, Польской и Болгарской Академий наук, Академии наук «Forty» (Италия), Академии наук Китая; единственный из российских ученых, кто был избран в 1990 г. иностранным членом Академии наук США («за гетероструктуры») и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США («за развитие принципов теории и технологии гетероструктур»). Почетный доктор более 60 университетов мира, в том числе: Франклиновского института (США, 1971), Гаванского университета (Куба, 1987), Санкт-Петербургского гуманитарного университета профсоюзов (1998), Белорусского государственного университета (2001), Мадридского университета (Испания, 2001), Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (2001), Университета Св. Эндрю (Великобритания, 2006), Берлинского технического университета (Германия, 2009), Лондонского университета (Великобритания, 2013). Почетный профессор тринадцати университетов России, Венесуэлы, Китая, Кубы, Шотландии и Финляндии, среди них: Санкт-Петербургский государственный технологический институт (2000); Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова (2001); Московский физико-технический институт (2008), Московский институт электронной техники (2015); Физико-технический институт Крымского федерального университета им. В. И. Вернадского.
Премия Балантайна института Франклина «За теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре» (США, 1971); Ленинская премия «За фундаментальные исследования геторопереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе» (СССР, 1972); Хьюллет-Паккардовская премия Европейского физического общества «За новые работы в области гетеропереходов» (1978); Государственная премия «За разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений A3B5» (СССР, 1984); Премия А. П. Карпинского «За вклад в развитие физики и техники гетероструктур» (ФРГ, 1989); Премия им. А. Ф. Иоффе РАН за цикл работ «Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур» (1996); Нобелевская премия «За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники» (Швеция, 2000); Премия Киото «За успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах – пионерский шаг в оптоэлектронике» (Инамори фонд, Япония, 2001); награда «Золотая тарелка» Академии достижений (США, 2002); Международная премия «Глобальная Энергия» (2005); Международная премия Карла Боэра (2013); Золотая медаль имени Низами Гянджеви (2015)
Кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством» всех четырех степеней; ордена Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, «Знак Почета», Александра Невского; орден Франциска Скорины (Беларусь), орден Ярослава Мудрого (Украина); почетный знак «За заслуги перед Санкт-Петербургом»; почетное звание «Заслуженный энергетик Российской Федерации»; Почетный гражданин городов Санкт-Петербург (2001), Минск, Сан-Кристобаль (Венесуэла), сёл Хильки и Комаривка (Корсунь-Шевченковский район Украины, 2001); именем Ж. И. Алфёрова названа малая планета Солнечной системы № 3884.
Основные научные труды: О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе p-i-n (p-n-n+, n-p-p+) структуры с гетеропереходами // Физика и техника полупроводников. 1967. № 1. С. 436–438; Высоковольтные p-n переходы в кристаллах GaxAl1-xAs // Физика и техника полупроводников. 1967. № 1. С. 1579–1581 (в соавторстве с В. М. Андреевым, В. И. Корольковым, Д. Н. Третьковым, В. М. Тучкевичем); Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре // Физика и техника полупроводников. 1969. № 3. С. 1328–1332 (в соавторстве с В. М. Андреевым, Е. Л. Портным); Electroluminescence of heavily doped AlxGa1-xAs-GaAs heterojunctions // Journal of Luminescence. 1969. Vol. 1. P. 935–950; Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе AlAs-GaAs на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре // Физика и техника полупроводников. 1970. № 4. С. 1826–1829 (в соавторстве с В. М. Андреевым, Д. З. Гарбузовым, Ю. В. Жиляевым, Е. П. Морозовым); The history and future of semiconductor heterostructures from the point of view of a russian scientist // Physica Scripta. 1996. Vol. 68. Р. 32–45; Физика и жизнь. СПб.: Наука, 2000; Наука и общество / Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе. СПб.: Наука, 2005. 383 с.
О Ж. И. Алфёрове: Академику Ж. И. Алферову – 50 лет // Вестник АН СССР. 1980. № 7. С. 135–136; Кулик-Ремезова В. Физик Жорес Алферов // Неделя. 1980. № 44. С. 13; Храмов Ю. А. Физики: биографический справочник. М.: Наука, 1983. С. 11–12; Жорес Иванович Алферов (к шестидесятилетию со дня рождения) // Успехи физических наук, 1990. Т. 160, вып. 3. С. 153–156; Беларуская энцыклапедыя: у 18 т. Мінск, 1996. Т. 1: «А–Аршны». С. 85; Захарченя Б. П. Небольшая сага о Жоресе Алферове // Аврора, 1996. № 5. С. 38–50; Макаров И. М., Топчеев Ю. Н. Великий Физик нашего времени – Жорес Иванович Алферов // История науки и техники. 2002. № 11. С. 41–51; Большая российская энциклопедия. М., 2005. Т. 1: «А–Анкетирование». С. 539; Республика Беларусь: энциклопедия. Минск, 2006. Т. 2: «А–Герань». С. 85; Суркова М. Вперед, невзирая на трудности // За науку. 2009. № 3(1818). С. 4–11.